工程概况：

项目（金冠内乡智能电气产业园）位于工业路与南环路交叉口西北角。本项目总用地面积:143013.05平方米。其中:金冠泛半导体国际创新研究院;单体总建筑面积:11722.49平方米,结构形式为钢筋混凝土框架结构，建筑结构使用年限为50年，建筑耐火等级一级，建筑抗震设防烈度7度，其中地上总建筑面积:10472.86平方米,地下建筑面积:1249.63平方米,地上最高层8层,规划建筑高度37.02米,消防建筑高度为35.85米。

金冠智能电气产业园1#厂房

二、工程概况：

拟建项目（金冠内乡智能电气产业园）位于工业路与南环路交叉口西北角。本项目总用地面积：143013.05平方米，其中1#厂房建筑面积43384.12平方米，结构形式为钢筋混凝土框架结构，建筑结构使用年限为50年，建筑耐火等级一级，建筑抗震设防烈度7度。1#厂房地上最高层2层，规划建筑高度14.30米，消防建筑高度为12.50米。